Η Samsung παράγει μαζικά τη μικρότερη DDR5 DRAM του κλάδου, ανακοίνωσε η εταιρεία την Τρίτη.
Η νέα DRAM 14nm EUV DDR5 είναι μόνο 14 νανόμετρα και διαθέτει πέντε επίπεδα τεχνολογίας ακραίας υπεριώδους (EUV). Μπορεί να φτάσει ταχύτητες έως και 7,2 gigabits ανά δευτερόλεπτο, που είναι υπερδιπλάσια από την ταχύτητα του DDR4. Η Samsung ισχυρίζεται επίσης ότι η νέα της τεχνολογία EUV δίνει στην DDR5 DRAM την υψηλότερη πυκνότητα bit, ενώ αυξάνει την παραγωγικότητα κατά 20% και μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά 20%.
Το EUV γίνεται όλο και πιο σημαντικό καθώς η DRAM συρρικνώνεται συνεχώς σε μέγεθος. Βοηθά στη βελτίωση της ακρίβειας σχεδίασης, η οποία απαιτείται για υψηλότερες επιδόσεις και μεγαλύτερες αποδόσεις, είπε η Samsung. Η ακραία σμίκρυνση της DDR5 DRAM 14nm δεν ήταν δυνατή πριν από τη χρήση της συμβατικής μεθόδου παραγωγής φθοριούχου αργού (ArF) και η εταιρεία ελπίζει ότι η νέα της τεχνολογία θα βοηθήσει στην αντιμετώπιση της ανάγκης για μεγαλύτερη απόδοση και χωρητικότητα σε τομείς όπως το 5G και η τεχνητή νοημοσύνη.
Στο μέλλον, η Samsung είπε ότι θέλει να δημιουργήσει ένα τσιπ DRAM 24Gb 14nm για να ανταποκριθεί στις απαιτήσεις των παγκόσμιων συστημάτων πληροφορικής. Σχεδιάζει επίσης να επεκτείνει το χαρτοφυλάκιο 14nm DDR5 για να υποστηρίζει κέντρα δεδομένων, υπερυπολογιστές και εφαρμογές διακομιστών επιχειρήσεων.
